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  • 单晶硅片
    规格:3寸至4寸单晶硅N型轻掺硅片,3寸至4寸单晶硅N/P型重掺硅片

    通过掺磷或掺硼,采用MCZ工艺,生产尺寸为3寸、4寸,电阻0.003-55Ω.cm,厚度200-350um等不同N型单晶硅片或P型单晶硅片,并可根据客户要求生产定位边单晶硅片,倒角单晶硅片,N型单晶硅片,P型单晶硅片等,电阻率和厚度根据客户要求生产。

    3寸单晶硅N型轻掺硅片

    3-inch mono crystal silicon N-type light doped wafer

    电阻率Ω·CM

    厚度μm

    晶向

    寿命μs

    外径mm

    掺杂剂

    形态

    电阻率径向不均匀性

    线切片

    研磨片

    倒角片

    定位片

    5-10

    200-350

    <111>

    100

    76.2±0.3

    20%

    10-15

    200-350

    <111>

    100

    76.2±0.3

    20%

    15-20

    200-350

    <111>

    100

    76.2±0.3

    20%

    20-25

    200-350

    <111>

    100

    76.2±0.3

    20%

    25-30

    200-350

    <111>

    100

    76.2±0.3

    20%

    30-35

    200-350

    <111>

    100

    76.2±0.3

    20%

    35-40

    200-350

    <111>

    100

    76.2±0.3

    20%

    40-45

    200-350

    <111>

    100

    76.2±0.3

    20%

    45-50

    200-350

    <111>

    100

    76.2±0.3

    20%

    50-55

    200-350

    <111>

    100

    76.2±0.3

    20%

    4寸单晶硅N型轻掺硅片

    4-inch mono crystal silicon N-type light doped wafer

    电阻率Ω·CM

    厚度μm

    晶向

    寿命μs

    外径mm

    掺杂剂

    形态

    电阻率径向不均匀性

    线切片

    研磨片

    倒角片

    定位片

    5-10

    200-350

    <111>

    100

    101.6±0.3

    20%

    10-15

    200-350

    <111>

    100

    101.6±0.3

    20%

    15-20

    200-350

    <111>

    100

    101.6±0.3

    20%

    20-25

    200-350

    <111>

    100

    101.6±0.3

    20%

    25-30

    200-350

    <111>

    100

    101.6±0.3

    20%

    30-35

    200-350

    <111>

    100

    101.6±0.3

    20%

    35-40

    200-350

    <111>

    100

    101.6±0.3

    20%

    40-45

    200-350

    <111>

    100

    101.6±0.3

    20%

    45-50

    200-350

    <111>

    100

    101.6±0.3

    20%

    50-55

    200-350

    <111>

    100

    101.6±0.3

    20%

    3寸单晶硅重掺硅片

    3-inch mono crystal silicon heavy doped wafer

    电阻率Ω·CM

    厚度μm

    晶向

    型号

    外径mm

    掺杂剂

    形态

    电阻率径向不均匀性

    线切片

    研磨片

    倒角片

    定位片

    0.003-0.005

    200-350

    <111>

    N/P

    76.2±0.3

    /

    /

    /

    0.005-0.008

    200-350

    <111>

    N/P

    76.2±0.3

    /

    /

    /

    0.02-0.03

    200-350

    <111>

    N/P

    76.2±0.3

    /

    /

    /

    4寸单晶硅重掺硅片

    4 inch monocrystal silicon heavy doped wafer

    电阻率Ω·CM

    厚度μm

    晶向

    型号

    外径mm

    掺杂剂

    形态

    电阻率径向不均匀性

    线切片

    研磨片

    倒角片

    定位片

    0.003-0.005

    200-350

    <111>

    N/P

    101.6±0.3

    /

    /

    /

    0.005-0.008

    200-350

    <111>

    N/P

    101.6±0.3

    /

    /

    /

    0.02-0.03

    200-350

    <111>

    N/P

    101.6±0.3

    /

    /

    /

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