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    采用外延片为载体,进行扩散、玻璃钝化,得到特殊产品特性,TRR波形振荡较小,应用上干扰较小。

    外延片是指用外延工艺在衬底表面生长薄膜所生片的单晶硅片。采用外延片为载体,进行扩散、玻璃钝化,得到特殊产品特性,TRR波形振荡较小,应用上干扰较小。

    可以满足客户在高温、高湿、强电场等恶劣条件下长时间工作需求。




    参数配置表

    Dimension
    Part number

    A

    B

    C

    D

    Limits ±12

    Limits ±2

    Limits ±3

    Limits ±1

    1A

    50

    12

    27

    2

    2~4A

    64

    12

    41

    2

    3~6A

    72

    12

    49

    2

    5~8A

    84

    12

    61

    2

    8~10A

    95

    12

    72

    2


    Parameter

    Symbol

    SF50

    SF64

    SF72

    SF84

    SF95

    Unit

    Peak Inverse V

    PIV

    100 ~ 800

    Volts

    Forward Current

    IF

    1

    3

    5

    8

    10

    Amps

    Forward Volts

    VF

    PIV200V VF spec. 0.9

    PIV400V VF spec. 1.25

    PIV600V VF spec. 1.7

    PIV800V VF spec. 2.2

    Volts

    Reverse recovery time

    TRR

    20~35

    ns

    Surge Current

    IFSM

    30

    100

    125

    Amp/8.3ms

    Leakage at 100℃

    IRFM

    400

    uA

    Junction Temp

    TJ,MAX

    150

    Degrees ℃

    Leakage 25℃

    IRFM

    10.0

    uA

    Storage Temp

    TST

    -65 ------- 150

    Degrees ℃

    Die Attach Temp

    TD

    340~375

    Degrees ℃/2 min

    TRR波形振荡较小(应用上干扰较小)

    本公司提供PG光刻制程,可根据客制要求电性特性;
    低温升产品;
    大功率产品;
    白/黄金扩散产品。


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